PDF
ZENODO
Published
2025-05-01
Section
Articles
How to Cite
How to Cite
Влияние высоты вертикального кремниевого солнечного элемента на эффективность
А. Э. Атамуратов
Ургенческий государственный университет, ул. Х Олимжана, 14, Ургенч, Узбекистан
Б. К. Жумабаев
Ургенческий государственный университет, ул. Х Олимжана, 14, Ургенч, Узбекистан
М.М. Халиллоев
Ургенческий государственный университет, ул. Х Олимжана, 14, Ургенч, Узбекистан
Ш. Рахманова
Ургенческий государственный университет, ул. Х Олимжана, 14, Ургенч, Узбекистан
Н. Д. Аминбоева
Ургенческий государственный университет, ул. Х Олимжана, 14, Ургенч, Узбекистан
Х. Ш. Сапаров
Ургенческий государственный университет, ул. Х Олимжана, 14, Ургенч, Узбекистан
Keywords: солнечный элемент, туннельный переход, концентраторная система, солнечная концентрация, эффективность солнечного элемента.
Abstract
В данной работе моделируется кремниевый двухпереходный вертикальный солнечный элемент с использованием TCAD. Рассматривается заивимость эффективности, тока корот-кого замыкания, напряжения холостого хода и фактора заполнения от высоты солнечного элемента. Наблюдаются немонотонная скачкообразная зависимость эффективности от высоты солнечного элемента. Подробно объясняются причины наблюдаемой немонотонной зависи-мости на основе зависимости скорости оптической генерации от высоты солнечного элемента.
References
[1] M. Ochoa, E. Barrigón, L. Barrutia, I. García, I. Rey-Stolle, and C. Algora, “Limiting factors on the semiconductor structure of III–V multijunction solar cells for ultra-high concentration (1000–5000 suns),” Prog. Photovolt., Res. Appl., vol. 24, no. 10, pp. 1332–1345, 2016, doi: 10.1002/pip.2791.
[2] A. Gover and P. Stella, “Vertical multijunction solar-cell one dimensional analysis,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-21, no. 6, pp. 351–356, Jun. 1974, doi: 10.1109/T-ED.1974.17927.
[3] B. L. Sater and N. D. Sater, “High voltage silicon VMJ solar cells for up to 1000 suns intensities,” in Proc. Conf. Rec. 29th IEEE Photovolt. Spec. Conf., May 2002, pp. 1019–1022, doi: 10.1109/PVSC.2002.1190778.
[4] Outes C., Fernández E.F., Seoane N., Almonacid F., García-Loureiro A.J.: Dependence of the vertical-tunnel-junction GaAs solar cell on concentration and temperature. IET Renew. Power Gener. 1–12 (2022). https://doi.org/10.1049/rpg2.12456,
[5] Gokhan Sahin, Genber Kerimli. Effect of the depth base along the vertical on the electrical parameters of a vertical parallel silicon solar cell in open and short circuit. Results in Physics
Volume 8, March 2018, Pages 257-261
[6] A.E. Atamuratov, B.Q. Jumaboyev, A.E. Abdikarimov, A. Yusupov, A.G.J. Loureiro, 14th Spanish Conference on Electron Devices, CDE 2023 - Proceedings2023 14th Spanish Conference on Electron Devices, CDE 2023Valencia, 6 June 2023 through 8 June 2023. https://doi.org/10.1109/CDE58627.2023.10339414
